एंटी प्रतिबिंबित फिलिम के प्रक्रिया का विविधता

तकनीकी प्रक्रिया
वृद्धि सामग्री और गैस स्रोत प्रदान करें: एंटी प्रतिबिंबित फिलिम के लिए विकास सामग्री प्रदान करत है, जइसे कि कुछ अवतार मा SiO, जबकि विकास सामग्री के अनुरूप गैस स्रोत प्रदान करत हैं, जइसे कि SiH ₄, N ₂ ओ, अउर एन ₂ गैस स्रोत संयोजन .
एंटी परावर्तन परत का गठन: क्रमिक रूप से एक ही वृद्धि सामग्री का उपयोग करके क्रमिक रूप से कम से कम दो एंटी प्रतिबिंब परत का उपयोग करें, सब्सट्रेट परत पर एंटी प्रतिबिंब परत के परतों के प्रतिबिंब परत . सब्सट्रेट परत म SiO परत, Si परत, और फ़िल्म वृद्धि के दिशा के साथ अनुक्रम म अवशोषण परत शामिल हो सकत है . एक उदाहरण के रूप म दो-परत एंटी रिफ्लेक्टिशन परत और दूसरी एंटी प्रतिबिंब परत) को लेना, यह एपिटैक्सियल द्वारा बना है वृद्धि प्रक्रिया (जैसे प्लाज्मा बढ़ाया रासायनिक वाष्प जमाव विधि PECVD) . विशिष्ट चरण इस प्रकार हैं:
सब्सट्रेट प्रोसेसिंग: सब्सट्रेट परत पर अर्धचालक सफाई प्रक्रिया के बाद, सीवीडी जमाव उपकरण पर सब्सट्रेट परत रखो .
उपकरण पैरामीटर सेटिंग्स: सीवीडी जमाव उपकरण के ऊपरी इलेक्ट्रोड तापमान को 200-300 डिग्री और निचले इलेक्ट्रोड तापमान पर नियंत्रित करें 250-350 डिग्री .
पहली एंटी परावर्तन परत का वृि: सीवीडी जमाव उपकरण के पहले जमाव पैरामीटर को समायोिजत करें, समा त , सशिन का पहला वॉल्यूम फ्लो रेट, एन ₂ ओ, और N ₂, सीवीडी जमाव उपकरण का पहला आरएफ शक्ति, पहला पतली फ़िल्म जमाव समय, आदि., या वहाँ कसी भी संयोजन, 10-200 एनएम अउर 1.4-1.71. कय अपवर्तक सूचकांक सीमा
दूसर एंटी परावर्तन परत का विकास: सीवीडी जमाव उपकरण के दूसरे जमाव पैरामीटर समायोजित करें, जेहिमा SiH ₄, N ₂ ओ, अउर एन ₂, दूसर गैस दबाव, सीवीडी जमाव उपकरण के दूसर आरएफ शक्ति, दूसर पतली फिलिम जमाव समय, आदि,., या वहिके कउनौ संयोजन के दूसर आरएफ शक्ति शामिल है, जेहिमा पहिला एंटी प्रतिबिंब परत पर दूसर एंटी प्रतिबिंब परत बढ़त है, एक मोटाई के साथ 10-200 एनएम कय सीमा औ 1.4-1.71. कय एक अपवर्तित सूचकांक सीमा

तकनीकी फायदा
एकै विकास सामग्री का उपयोग कइके, एंटी प्रतिबिंब फिलिम अलग-अलग सामग्री के ढेर एंटी प्रतिबिंब फिल्मन के तुलना मा एकै एंटी प्रतिबिंब प्रभाव प्राप्त कइ सकत है, उपयोग कीन जाय वाली गैस स्रोत के प्रकार का कम करत है, तैयारी प्रक्रिया के कठिनाई का कम करत है, अउर तैयारी प्रक्रिया के दौरान तैयारी स्थान अउर काम करै वाले क्षेत्र का बढ़ा सकत है .

हाइब्रिड SiO ₂/TiO ₂ एंटी रिफ्लेक्टिव फिलिम का विनिर्माण प्रक्रिया

तकनीकी प्रक्रिया
सब्सट्रेट का तैयारी: ग्लास, कार्बनिक ग्लास, पॉलीमाइड फिल्म, आदि जैसे पारदर्शी सब्सट्रेट का चयन करें, अउर एक स्वच्छ अऊर धूल-मुक्त सतह . अगर आवश्यक है, त एक एकल-पहचान या डबल-साइड पॉलिशिंग का उपयोग प्रकाश संचरण दक्षता मा सुधार करै के लिए कीन जा सकत है।
फ़िल्म अग्रदूत का तैयारी: टेट्राएथोक्सीसिलेन (टीओओएस) और टेट्राबुटाइल टाइटनेट (टीबीटी) को एक निश्चित अनुपात म एनएच ₄ OH युक्त इथेनॉल म जोड़ा जात है, अउर प्रतिक्रिया 9-12} घंटे के लिए एक पारदर्शी सोल - जेल सिस्टम प्राप्त करै के लिए रखा जात है .
कोटिंग और इलाज: तैयारी सोल जेल सिस्टम को पारदर्शी सब्सट्रेट पर समान रूप से लेपित किया जात है, और स्पिन कोटिंग, स्प्रे, ब्रशिंग, ब्रशिंग और अन्य योजनाओं का उपयोग किया जा सकत है . कोटिंग के बाद, हाइब्रिड SiO ₂ / TiO ₂ फिल्म अग्रदूत को ठीक और एनीलिंग उपचार के लिए एक ओवन म रखा जात है, जो एक बहु-परत संरचना {{2} बनावत है।
परिपत्र कोटिंग: वांछित एंटी प्रतिबिंब प्रभाव तब तक कोटिंग और क्यूरिंग प्रक्रिया को दोहराएं . अलग-अलग कोटिंग समय और अनुक्रम एंटी प्रतिबिंबित फिलिम के प्रदर्शन को प्रभावित करेगा, और अनुसंधान और अनुकूलन के जरूरत है .
सतह का उपचार: एंटी रिफ्लेक्टिव फिलिम के स्थायित्व अऊर स्थिरता बढ़ावै के लिए, हाइड्रोफिलिक अऊर हाइड्रोफोबिक बहुलक के एक परत एंटी प्रतिबिंब फिल्म . के सतह पर लेपित कीन जा सकत है।

इन्फ्रारेड एंटी रिफ्लेक्टिव फिलिम का विनिर्माण प्रक्रिया
तकनीकी प्रक्रिया
अवरक्त एंटी प्रतिबिंब फिलिम सिलिकॉन पर आधारित है और सब्सट्रेट के दोनों तरफ एंटी रिफ्लेक्ट्स फिल्मों के साथ लेपित है . एंटी प्रतिबिंब फिलिम का फिल्म प्रणाली संरचना एक दूसरे से स्वतंत्र है (HL) ^ S, L SiO परत का प्रतिनिधित्व करत है, S HL बुनियादी संरचना के अवधि का प्रतिनिधित्व करत है, अउर S का मूल्य3-6. के बीच एक पूर्णांक है 3-6. Si परत सब्सट्रेट, और SiO परत सतह पर स्थित है . को कोटिंग प्रक्रिया का उपयोग सब्सट्रेट तक लगाने के लिए किया जात है, SiO file filt के साथ सबसे बाहरी परत है, जेहिमा उच्च सतह कठोरता होत है अउर अतिरिक्त सुरक्षात्मक परत . के आवश्यकता नहीं होत है, अतिरिक्त रूप से, SiO मा कम अपवर्तित सूचकांक होत है, जवन सतह परावर्तन कम कर सकत है अउर अधिक अवरक्त ट्रांसमिटेंस .

उच्च तापमान प्रतिरोधी सीओ ₂ लेजर एंटी रिफ्लेक्टिव फिल्म का विनिर्माण प्रक्रिया
तकनीकी प्रक्रिया
सामग्री पूर्व पिघलने: अलग-अलग प्री पिघलने उपचार ytrim फ्लोराइड, कैल्शियम ytrium फ्लोराइड, और जस्ता सेलेनाइड फिल्म सामग्री पर किया जात है ताकि फिल्म सामग्री के अंदर अशुद्धि को हटाया जा सके .
जमानत फ म परत: पहला ytrium फ्लोराइड परत, ytrim कैल्शियम फ्लोराइड परत, ज़िंक सेलेनाइड परत, और दूसरा ytrim फ्लोराइड परत को 3 ± 0 {2} 1mm के मोट के साथ एक जस्ता सेलेनाइड सब्सट्रेट परत पर अनुक्रमिक रूप से जमा किया जात है, हर परत का कवरेज क्षेत्र सतह के 95% से अधिक है सब्सट्रेट परत का क्षेत्र . प्रत्येक परत के लिए भौतिक मोटाई आवश्यकता इस प्रकार है: पहली ytrium फ्लोराइड परत का भौतिक मोटाई 95-100 नैनोमीटर है; titrbyum कैल्शियम फ्लोराइड परत का भौतिक मोटाई 860-870 नैनोमीटर है; जस्ता सेलेनाइड परत का भौतिक मोटाई 240-250 नैनोमीटर है; दूसरे ytrium फ्लोराइड परत का भौतिक मोटाई 95-100 नैनोमीटर है।
 

तकनीकी फायदा
तैयार एंटी परावर्तन झिल्ली म एक सरल संरचना और उत्तम डिजाइन होता है . चार परत संयोजन म उच्च तापमान प्रतिरोध, उच्च संचार, फर्म झिल्ली परत, झिल्ली परत के बीच पूरक तनाव, और झिल्ली परत के गैर-पतला, और झिल्ली परत के गैर-पतला होत है . यह उच्च तापमान स्थितिय के तहत घटक के निरंतर संचालन को पूरा कर सकत है, और हर परत म उपयोग किए जाने वाली सामग्री गैर रेडियोधर्मी है, जो संचालक और वातावरण को नुकसान नहीं करेगा .